MOSFETとヒートシンク間の浮遊容量で損失増加? リンクを取得 Facebook × Pinterest メール 他のアプリ 3月 03, 2022 MOSFETとヒートシンクの間に寄生する浮遊容量浮遊容量がノイズ発生源になることは良く知られているが、無負荷損失の若干の増加原因にもなる解析解析の際に正体不明の無負荷損失に悩まされることが多いが、もしかしたら浮遊容量が元凶かもしれない リンクを取得 Facebook × Pinterest メール 他のアプリ コメント
DABコンバータのゼロ電圧スイッチング 2月 20, 2022 DABコンバータはソフトスイッチング動作するので、理論的にはスイッチング時のサージは小さい しかし、MOSFETの出力容量が小さく、ドレインソース電圧が高速で変化するとサージを発生させてしまう MOSFETと並列にCを接続して等価的に出力容量を増強することで、サージは消えて理想的な波形に近づく 続きを読む
計測器を変えたからといって、都合の悪いサージやスパイクは消えないぞ 5月 20, 2022 「計測器を変えたら電圧スパイクが消えて問題が解消されました、やった☆」というような学生にちょくちょく出くわす スパイクが消えたわけではなく、見えていないだけ... 計測器の帯域やサンプルレート関連で失敗した経験は誰しもがある これに引っかからないように、簡単な動画を準備しよう… 続きを読む
表皮効果と近接効果 2月 20, 2022 2本の並行銅線を接近させた場合と離した場合の抵抗値を比較 接近させた並行銅線は近接効果によって抵抗値が上昇 距離を離した場合は、単銅線の抵抗値の約半分となり、近接効果の影響がなくなる 地味データだが、高周波インダクタやトランスを設計する場合には重要な特性 続きを読む
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