MOSFETとヒートシンク間の浮遊容量で損失増加?

 MOSFETとヒートシンクの間に寄生する浮遊容量

浮遊容量がノイズ発生源になることは良く知られているが、無負荷損失の若干の増加原因にもなる

解析解析の際に正体不明の無負荷損失に悩まされることが多いが、もしかしたら浮遊容量が元凶かもしれない


コメント

このブログの人気の投稿

DABコンバータのゼロ電圧スイッチング

計測器を変えたからといって、都合の悪いサージやスパイクは消えないぞ

表皮効果と近接効果